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SiH4激光等离子体内H谱线的线型研究
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[cstr]
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O433.54

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国家自然科学基金


Profile Analysis of H Lines in Laser-induced Silane Plasma
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    本文利用OMA-Ⅲ系统测量了脉冲TEA CO_2激光诱发的SiH_4等离子体发光谱内H巴耳末系的H_α、H_β和H_γ线的线型及线宽。通过理论及实验分析,认为这些谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由实验线型和理论线型的拟合得到等离子体的电子温度T≈40000K和电子密度N≈10~(17)cm~(-3)。

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引用本文

王金国 李晓苇. SiH4激光等离子体内H谱线的线型研究[J].光电子激光,1991,(3):150~151

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