半导体激光技术近十年来有了显著进展,到了1990年还没有放慢的迹象。重要的进展有可见光二极管激光器的出现,用于光纤系统中的长波长InGaAsP激光器性能的改进等。但开发者们并没有忽视在1962年制成第一台二极管激光器的GaAs这类材料。大量扩展GaAs激光器的能力,关键在于研制新的结构。如“Applied Physics Letters”和“Electronics Letters”等杂志都曾报导过用奇怪名字命名的有重要价值的新型激光器。如: Buried-heterostructure lasers(填入式异质结激光器) Channelled substrate plannar lasers(沟槽式基底平面激光器)。