首页 > 过刊浏览>1992年第卷第1期 >22-26
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掺Bi热蒸发CdS光导薄膜
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TN304.055

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Bismuth-doped Thermal Evaporated CdS Photoconductive Films
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    本文用三种方法制备了掺Bi的CdS光导薄膜。一种方法是将Bi粉和CdS粉均匀混合蒸发;第二种方法是将CdS薄膜在CdS掺杂的Bi气氛中扩散,扩散温度为400～450℃;第三种方法是在CdS膜外再镀上一层很薄的Bi膜。文中介绍了它们的制备条件和光导特性,同时讨论了制备条件与光电导特性的关系。

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引用本文

顾培夫 陈惠广.掺Bi热蒸发CdS光导薄膜[J].光电子激光,1992,(1):22~26

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