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“Ａｕ－ｎ~＋（薄）－Ｉｎｐ”结构及界面特性分析夏瑞东，陈定钦（首都师范大学物理系１０００３７）（中国科学院半导体所１０００８３）摘要采用＂ＡＥＳ＂技术分析了Ａｕ－ＩｎＰ接触在不同温度下热处理得到的结果。发现Ａｕ向Ｉｎｐ一侧内扩散，并认为正是这种高掺?..
夏瑞东,陈定钦.“Au－n~＋（薄）－Inp”结构及界面特性分析[J].光电子激光,1995,(2):
