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ⅡB族同核准分子Hg2226.2nm漫射带研究
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[cstr]
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O433.54

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福建省教委科学基金,福建师范大学青年科学基金


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    本文报导在高纯Ｈｇ蒸气石英放电管中首次观测到峰值位于２２６．２ｎｍ左右属于Ｈｇ２准分子ＧＯ＾＋ｕ→ＸＯ＾＋ｇ束缚→自由跃迁的漫射带辐射，实验测量了漫射带强度随放电电流、气体温度和密度的变化关系，获得漫射带最大信号输出的工作参量。

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引用本文

黄志伟 郑蔚.ⅡB族同核准分子Hg2226.2nm漫射带研究[J].光电子激光,1996,(2):103~107

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