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Zn_（0．65）Cd_（0．35）Se－ZnSe量子阱自电光效应器件的制备和
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[cstr]
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TN383.1

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国家自然科学基金，中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室资助


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    利用ＭＯＣＶＤ技术和光电子器件工艺成功地制备了Ｐ－ｉ－ｎ结构的Ｐ－ＺｎＳｅ－（Ｚｎ０．６５Ｃｄ０．３５Ｓｅ－ＺｎＳｅＭＱＷ）－ｎ－ＺｎＳｅ自电光效应器件（ＳＥＥＤ）。在这种自由光效应器件中，在反向偏置电压下实现了由量子限制斯塔克效应（ＱｕａｎｔｕｍＣｏｎｆｉｎｅｄＳｔａｒｋＥｆｆｅｃｔ）引起的电光调制。

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引用本文

郑著宏,张吉英,杨宝均,范希武. Zn_（0．65）Cd_（0．35）Se－ZnSe量子阱自电光效应器件的制备和[J].光电子激光,1996,(4):

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