MOCVD生长的CdZnTe/ZnTe多量子附的激子光学特性
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TN241

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国家自然科学基金


^Excition Optical Properties in CdZnTe / ZnTe Multiple Quantum Wells Grown by MOCVD
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    用常压MOCVD方法在GaAs(100)衬底上生长了CdZnTe/ZnTe多量子阱。在室温下,观测到了CdZnTe/ZnTe多量子阱的三个谱带发光。根据CdZnTe/ZnTe多量子阱的吸收光谱和不同激发光强下的发光光谱,分别归结CdZnTe/ZnTe多量子阱中观测到的三个发光谱带于覆盖层发光、n=1的重空穴激子发光及杂质发光。

    Abstract:

    Excition optical properties in CdZnTe/ ZnTe multiple quantum wells(MQWs) grown by mefalorganic chemical vapour deposifion (MOCVD) has been studied for the first fime. Three luminescence peaks in CdZnTe/ ZnTe MQWs are observed in photoluminescence spectrum at room temperature. The experimental results indicate that they are dueto the luminescences of cover. (n-1)heavy-hole excition and impurity in the CdZnTe / ZnTe MQWs, respectively.

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引用本文

栗红玉,申德振,杨宝均,郑著宏,范希武. MOCVD生长的CdZnTe/ZnTe多量子附的激子光学特性[J].光电子激光,1996,(4):

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