铒,氧共注a—Si:H和a—SiCx:H的1.54μm光致发光
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TN383.2

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中国科学院半导体研究所材料科学开放实验室和国家教委光学信息技术科学开放实验室的资助


Photoluminescence for Er,O CO implanted in a Si:H and a SiCx:H Films
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    在a-Si:H和a-SiCx:H中共注稀土铒和氧。300℃和400℃热退火后,测得了来自发光中心Er3+内层4f电子跃迁的1.54μm光致发光。400℃是较好的退火温度。随着碳含量的增加,发光强度逐渐减弱,这可能是由于碳的引入减弱了间隙氧退火时的迁移能力所致。

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引用本文

薛俊明.铒,氧共注a—Si:H和a—SiCx:H的1.54μm光致发光[J].光电子激光,1998,(4):301~303

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