激光对半导体材料热作用的理论计算
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TN24 TN304.01

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国家教委跨世纪优秀人才培养计划专项基金,霍英东高校青年教师基金,江苏省自然科学基金


Theoretical Calculation for Thermal Effect of the Semiconductors Induced by the Laser Pulse
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    摘要:

    本文从焓的定义出发,根据焓平衡方程,考虑相互作用过程中材料的热物性参数的变化和相变问题,据此进行计算,得到了几种典型的半导体材料的动态温升曲线,其熔融阈值与激光持续作用时间之间的关系,以及熔融阈值与入射激光频率之间的依赖关系。

    Abstract:

    Considering the change of thermophysical parameters of the semiconductor and the phase change during the interaction between the material and the laser beam,we obtained the instant temperature rise of several typical semiconductors and the dependence of the melting threshold on the laser pulsewidth and the laser frequency based on the equation of the enthalpy equilibrium.

    参考文献
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引用本文

沈中华.激光对半导体材料热作用的理论计算[J].光电子激光,1998,(4):344~346

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