本文报导当在室温下向非晶硅（ａ－Ｓｉ）表面溅射钼（Ｍｏ）的过程中Ｍｏ与非晶硅发生互作用的现象。该互作用要求一定的临界溅射功率与钼层厚度。其作用速率在ａ－Ｓｉ界面为反应速率限制，而在与Ｍｏ交界面则为扩建速率限制。互作用生成非晶态钼硅Ｍｏ：ａ－Ｓｉ合金。它可阻止铝（Ａｌ）向ａ－Ｓｉ中扩散，同时可改善ａ－Ｓｉ ＴＦＴ的接触特性。当用Ａｌ／Ｍｏ作ａ－Ｓｉ薄膜晶体管（ａ－Ｓｉ ＴＦＴ）的源和漏电极时，可提高