单晶硅中铒点缺陷及Er—O复合缺陷电子结构的EHMO计算
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TN203 TN304.12

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Calculation of Electronic Structures of Er Point Defects and Er O Complex Defects in Crystal Silicon with EHMO
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    本文采用集团模型和推广的Hucket分子轨道理论(EHMO)计算c-si中Er点缺陷及Er-O 合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计算结果,解释了Er有c-Si中的发光特性。

    Abstract:

    The atomic structure and electronic structure of Er point defects and Er O complex defects in crystal silicon were calculated in EHMO theory.The results accord with the experimental results and the first principle calculations,and can explain the luminescence character of erbium in crystal silicon very well.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

薛俊明 刘志钢.单晶硅中铒点缺陷及Er—O复合缺陷电子结构的EHMO计算[J].光电子激光,1999,(5):419~424

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