808nm无铝材料激光器可靠性筛选的实验探讨
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TN248.4

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国家重点实验室基金;;


Reliability and Screen of 808 nm Al-free Semiconductor Lasers
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    摘要:

    对808nm无铝InGaAsP/GaAs半导体激光器进行可靠性筛选实验,给出了器件老化前后的工作特性及其变化情况;讨论器件工作特性变化甚至失效的可能原因,并给出在进行器件的可靠性做初步的判定,认为工作电流的变化率小于1%时是可靠的器件。

    Abstract:

    The experiments on the reliability and screen of 808 nm Al-free semiconductor laser were carried out to examine the operating characteristics and its changes after ageing.The possible origin of degradation or even failure behavior was discussed.We presented a reliable criteria of screening semiconductor lasers.The reliability of a laser could be characterized by the change rate of operating current.The lasers with the change rate of operating current smaller than 1% are classified to be reliable.

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引用本文

高欣 曲轶.808nm无铝材料激光器可靠性筛选的实验探讨[J].光电子激光,1999,(6):580~581

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  • 最后修改日期:1999-05-09
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