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多量子阱光开关器件的激子吸收及光调制特性
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[cstr]
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TN256

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国家自然科学基金重大资助项目!( 698962 60 )，重点资助项目 ( 6978980 2 )


The Exciton Absorption and Light Modulation Characteristics of MQW Light Switch Devices
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    我们分析了 Ga As/Al Ga As半导体多量子阱 (MQW)光开关器件的室温激子吸收行为及光调制特性 ,优化设计了多量子阱结构 ,研制出常通型和常关型两种类型光开关器件 ,并对器件的光调制特性进行了测量与研究。实验得出的结论与理论计算相符合 ,常通型器件对比度约为 10∶ 1;常关型器件对比度约为 4∶ 1。

    Abstract:

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引用本文

陈弘达 陈志标.多量子阱光开关器件的激子吸收及光调制特性[J].光电子激光,2000,(2):143~146

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