缀饰激子在半导体微腔中的辐射
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O471.1 TN365

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“八六三”高技术项目,国家“八六三”计划资助项目,国家自然科学基金资助项目! ( 698962 60,696870 0 3 )


Radiation of Dressed Excitons in the Semiconductor Microcavity
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    本文建立了半导体微腔的缀饰激子模型,在VCSEL器件量子阱中的激子首先通过内电磁场与腔耦合,形成缀饰态。而后作为多粒子过程,缀饰激子与腔内真空场耦合产生辐射。通过QED方法,我们得到偶极子辐射密度方程和系统能量衰 变方程。从方程解的讨论中,我们得到超辐射和偶极子微腔方向 效应的结果,同时预言民当内场耦合足够强时,缀 激子可以直接辐射到一个很的激光模中。

    Abstract:

    :In this paper,we introduced the dressed exciton model of the semiconductor micro cavity device.In the semiconductor quantum well(QW) of vertical cavity surface emission (VCSE) device,the excitons first coupled to the cavity through the intra electromagnetic field and formed the dressed excitons.Then these dressed excitons decayed into the vacuum cavity optical mode,as a multi particles process.Through the QED method,the dipole emission density and system energy decay equation were obtained.From the discussion of the solutions in three regimes,the superradiation and anisotropic decay rate were well understood.

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引用本文

刘世安 林世鸣.缀饰激子在半导体微腔中的辐射[J].光电子激光,2000,(3):221~223

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  • 最后修改日期:1999-10-05
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