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Gd3Ga5O12:Ag薄膜电致发光浓度和退火温度特性的研究
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[cstr]
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中图分类号:

TN304.055 O484.4

基金项目:

新材料领域项目，高等学校博士学科点专项科研项目，中国科学院资助项目，中国科学院实验室基金，715-0082，，19974002，，，，，


Investigation on Ag Concentration and Post-deposition Annealing of Gd3Ga5O12 Thin Film Electrolu-minescence
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    本文研究了Ａｇ＾＋的浓度对Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２薄膜光致发光和电致发光的影响。当Ａｇ＾＋沈度达到０．２ａｔ＾，薄膜的光发生很强的淬灭，但是电致发光的淬灭肖度却达１ａｔＴ％，通过对不同浓度的薄膜样品的吸收光谱的测量，发现随着Ａｇ＾＋的浓度的升高，吸收边生红移。由于Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ａｇ薄膜电致发光有一部分是属于逞间激发，所以电致发光的淬灭浓度要比光致发光高。Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ａｇ薄膜的退火有助于提高

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引用本文

徐征 许秀来. Gd3Ga5O12:Ag薄膜电致发光浓度和退火温度特性的研究[J].光电子激光,2000,(3):262~265

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  • 最后修改日期:1999-08-28
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