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多层间隔式结构多孔硅冷阴极电子发射的研究
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[cstr]
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TN103

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Study of Efficient Electron-emitting Cold Cathodes Based on Mul ti-layer Alternation Structural Control Porous Silicon Diodes
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    在多孔硅（ＰＳ）表面电子发射冷阴极中采用间隔式多层结构。由此，器件电子发射效率显著提高，在３２．５Ｖ偏压下，发射效率达１３．５％，发射电流密度２９μＡ／ｃｍ＾２；工作电流和发射电流的波动性明显减小；器件稳定性得到提高。

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引用本文

刘志钢 张丽珠.多层间隔式结构多孔硅冷阴极电子发射的研究[J].光电子激光,2000,(4):375~378

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  • 最后修改日期:1999-11-30
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