光刻机的分辨率和对准特性研究
DOI:
CSTR:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN305.7

基金项目:

浙江省科技计划资助项目 ( 0 0 110 14 2 0 )


Research on the Resolution and Alignment Limit of a Mask Aligner
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    本文以PLA-501F光刻机为例,研究如何使光刻机的分辨率和对准精度得到充分发挥。指出了光源、光刻胶、滤光片和主物镜的相互匹配是充分发挥光刻机分辨率的关键问题;在提高光刻工件的对准精度方面,牵涉到母板的套准图形设计及对准时的技巧。本文还分析了接近式曝光和接触式曝光的主要优缺点。

    Abstract:

    It is studied how to reach the resolution and alignment limit of a mask aligner with PLA 501F as a instance in this paper.It is stressed that the mutual coordination of light source,photo resist,filter and main lens,is the key point to reach the resolution limit of a photo lithographer,the alignment pattern design and the alignment skill play an in portent role in improving the alignment accuracy of a photo lithographer.Moreover the merits and de merits of contact and proximity exposure is analyzed in the paper.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

唐九耀 曹向群 等.光刻机的分辨率和对准特性研究[J].光电子激光,2001,(11):1202~1203

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2001-02-20
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码