TN304.24
国家自然科学基金资助项目 (5 9972 0 13 )
为实现OEIC的全Si化,以适应稀土Er发光的宽带隙半导体材料。研究了C-Si基底上注C形成微晶碳化硅(μc-SiC)的途径。经高浓度注C,在1100-1000℃2h退火,经X-ray与Raman测试证明可以获得μc-SiC结构。因为在宽带隙μc-SiC中能量回传很少,故对Er在波长1.54μm的室温光致发光是有利的。
孙钟林 薛俊明 等.硅中注入高浓度碳形成微晶碳化硅的研究[J].光电子激光,2001,(12):1247~1249