InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究
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TN383

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国家自然科学基金资助项目 (698962 60,6978980 2 )


Design and Performance Analysis of InGaAs/GaAs Multiple Quantum Well SEED
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    本文分析了计算了InGaAs/GaAs多量子阱(SEED)的激子吸收行为,对器件的多量子阱及谐振腔结构进行了设计和理论分析,用MOCVD系统生长了多量子阱外延材料,并且对器件的反射谱和光电流谱特性进行了测试。

    Abstract:

    The exciton absorption of InGaAs/GaAs multiple quantum well (MQW) self-electro-optic-effect devices (SEED) has been analyzed.Structure of the device has been designed and analyzed.The MQW materials have been grown by MOCVD system.The reflectivity and photocurrent spectrum of the devices have been measured and analyzed.

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引用本文

邓晖 陈弘达 等. InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究[J].光电子激光,2001,(3):222~224

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  • 最后修改日期:2000-07-17
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