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电子束蒸镀厚SiO2膜的工艺研究
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[cstr]
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TN304.055 TN304.21

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Investigation on Thick Silicon Dioxide Films Evaporation by Electron Beam Evaporation
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    本文研究了用电子束蒸镀工艺制备用于光波导器件的SiO2膜。采用高温退火处理工艺使SiO2膜的光学和物理特性稳定。在蒸镀过程中，输入不同压力的O2，可以改变和控制SiO2膜的组分，达到控制膜折射率的目的。通过逐次蒸镀、退火的工艺，实现1μm以上厚SiO2膜的制备。

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引用本文

伍晓明.电子束蒸镀厚SiO2膜的工艺研究[J].光电子激光,2001,(6):569~571

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  • 最后修改日期:2000-12-07
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