用反应沉积法（RDE）制备了一系列铁钴硅化物好Fe(1-x)CoxSi2薄膜，样品中掺杂的Co含量由卢瑟福背散射（RBS）确定。本文研究了样品的光学性质：室温下在0．26－4．80eV的光子能量范围内，用椭圆偏振光谱仪测量了样品的复介电函数谱。实验发现，Fe(1-x)CoxSi2薄膜的介电函数强烈地依赖于薄膜的状态:a)对于β的Fe(1-x)CoxSi2样品，其介电函数谱在红外低能区呈现出干涉峰，对应于半导体态；b）对于同时存在β相和∑相的混合相Fe(1-x)CoxSi2样品，其介电函数谱呈现出半导体和金属的混合态特征；c)对于∑的Fe(1-x)CoxSi2样品，其介电函数谱呈现出明显的金属态特征。XRD实验结果表明，样品介电函数谱的差异来源于薄膜中不同的Fe-Si相，而与样品中掺Co量的多少并无一定关系。