940nm列阵窗口半导体激光器
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TN248.4

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940 nm Array Window Semiconductor Lasers
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    本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵窗口半导体激光器,准连续(500μs,100Hz)输出功率达到80W(室温),峰值波长为939-941nm。

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李辉 曲轶 等.940nm列阵窗口半导体激光器[J].光电子激光,2001,(8):825~826

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  • 最后修改日期:2001-01-18
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