本文制作了670nmGaInP/AlGaInP应变层量子阱脊形波导激光器，为了进一步优化工艺，在普通的单量子阱材料横向结构中嵌入30－50nm的GaIlP蚀刻阻挡层，用此种材料加工而成的控长1200μm，宽64μm的氧化条激光器的阈值电流密度为340A／cm^2,采用配比为1．0：2．5的HCl:H2O深液对GaInP/AlGaIn进行湿蚀刻研究，得到了较好的选择恂刻性结果。