生长了InGaAsp/InGaP/In（AlGa)P材料分别限制应变量子阱半导体激光器，发光波长780nm。利用电化学C-V表征材料掺杂，掺杂浓度达10^18cm^-1。利用荧光PL及EL表征其光学性质，PL峰为765nm。制得100μm、宽1mm长条形。测得阈值电流为315mA，斜率效率超过1W/A，功率转换达40%左右。注入电流1.5a，光功率单管输出达到1.2W。