O471.1 O471.
国家自然科学基金,60166002,
考虑了内建电场的影响,用变分法计算了GaN/GaAIN量子阱(QW)的电子子带和激子结合能。结果表明,对于阱宽较大情形,电子和空穴高度局域在QW边沿附近。内建电场造成的电子空穴空间的较大分离使QW激子表现出二类阱特征,重空穴基态结合能对Al浓度变化不敏感。
郭子政 梁希侠 等. GaN/GaAIN宽量子阱的二类激光特征[J].光电子激光,2002,(12):1303~13,061,310