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差温法制备具有Ti、Zn掺杂限流层的BH激光器
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[cstr]
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TN248

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教育部优秀年轻教师基金资助项目 (教司 1999.5 )


BH Laser with Ti,Zn Doped Confinement Layer Fabricated by Differential Temperature Growth
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    在常规液相外延（LPE）系统中，利用差温生长4层激光晶片与Ti、Zn掺杂生长高阻半绝缘InP侧向限制层相结合的方法，制备出了阈值电流约为16mA、峰值激射波长1.532μm，单面光输出功率大于4mW的掩埋异质结激光器。

    Abstract:

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引用本文

胡礼中 白利伟 等.差温法制备具有Ti、Zn掺杂限流层的BH激光器[J].光电子激光,2002,(4):336~338

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  • 最后修改日期:2001-10-16
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