首页 > 过刊浏览>2003年第卷第10期 >1011-1014
PDF HTML阅读 XML下载 导出引用 引用提醒
980nm InGaAs／GaAs／AlGaAs大功率LDs模式特性研究
DOI:
CSTR:
[cstr]
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN248.4

基金项目:

国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，北京市自然科学基金，北京市科委科技攻关项目，G20000683-02，2002AA312070，69889601，4032007,4021001，99270603，，，，，


Study on Lateral Mode of InGaAs/GaAs/AlGaAs 980 nm High-power LDs
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
    • |
  • 图/表
    • |
  • 访问统计
    • |
  • 参考文献
    • |
  • 相似文献
    • |
  • 引证文献
    • |
  • 资源附件
    • |
  • 文章评论
    摘要:

    针对目前大功率980 nm量子阱半导体激光器(LDs)为降低阈值电流而要求激射条宽窄、腐蚀深度深而造成的P-I曲线扭折、侧向模式不稳定问题采用有效折射率近似方法进行模拟分析,并得到了实验上的证实.通过采用不对称波导及双量子阱结构,制备了低阈值(19 mA)模式稳定的InGaAs/GaAs/AlGaAs LDs,其斜率效率0.6 W/A(8 μm×500 μm,未镀膜器件),在输出功率达到100 mW时保持横模、侧模的稳定.

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

崔碧峰,李建军,邹德恕,王东凤,沈光地.980nm InGaAs／GaAs／AlGaAs大功率LDs模式特性研究[J].光电子激光,2003,(10):1011~1014

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2003-03-17
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码
邮政编码：300384 电话：022-60214470
网址：http://www.joelcn.net E-mail：baenxu@263.net
技术支持：北京勤云科技发展有限公司
光电子激光 ® 2025 版权所有