根据测得的ZnSe p—n结的外量子效率(QE)曲线，研究了ZnSe／GaAs／Ge叠层多结光电池的ZnSe顶电池结构、优缺点及全电池的电流匹配问题，探讨了用Au／i—ZnSe／n—ZnSe肖特基结金属／绝缘体／半导体(MIS)结构取代ZnSe p—n结结构从而改进全电池性能的方法。研究表明，改进后的ZnSe／GaAs／Ge叠层多结电池具有开路电压高、阳光光谱覆盖率高、电流匹配较好及工艺较简单等优点。