给出了SOI近红外Si0.8Ge0.2／Si横向pin光电探测器的设计和制作过程。对制得的样管进行了典型光电参数的测试。测试结果表明，探测器的响应波长范围为0．4～1．3μm，峰值响应波长在0．93～0．97μm，峰值波长下响应度达0．38μA／μW，与Si光电探测器相比，出现明显的响应波长范围和响应峰值波长红移，光电性能达到了预先的设计目标。