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InGaAs／AlGaAs 941 nm高功率半导体激光二极管阵列
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[cstr]
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TN248.2

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InGaAs/AlGaAs 941 nm High Output Power Semiconductor Laser Diode Arrays
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    利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs／GaAs／AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器线阵的峰值波长为941nm，光谱的半高全宽(FWHM)为3．3nm，在400μs、50Hz的输入电流下，输出峰值功率达到67．9W，斜率效率高达0．85W／A(64％)。

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引用本文

辛国锋 花吉珍 陈国鹰 康志龙 冯荣珠 安振峰. InGaAs／AlGaAs 941 nm高功率半导体激光二极管阵列[J].光电子激光,2003,(7):698~700

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