聚乙烯咔唑/铟锡氧化物的界面分析
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TN304 O482.31

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国家自然科学基金,60076023,


Interface Analysis for the poly(N-vinylcarbazole)/indium-tin-oxide
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    摘要:

    用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了真空蒸镀聚乙烯咔唑(PVK)薄膜的表面形貌和PVK/铟锡氧化物(ITO)界面电子状态。结果表明,PVK分子虽然体积较大,但分布较均匀。XPS数据显示,在界面处PVK分子骨架和SnO2分子结构几乎没有发生变化,但PVK分子的侧基和In2O2分子结构发生了变化,因为界面处存在大量的,不能用制备过程的空气污染来解释的C-O键;在界面处,In2O3分子部分分解,所产生O原子替代PVK侧基上的H原子而形成C—O键;所产生的In原子则扩散至PVK内部。

    Abstract:

    The surface morphology of vacuum vapor deposited poly(N-vinylcarbazole)(PVK) thin film and the PVK/indium-tin-oxide(ITO) interface are studied by using the AFM and XPS respectively.The results showed that PVK molecules are large in size and relative uniform;the backbone of PVK molecules and the structure of SnO2 are almost unchanged,while the side group of PVK and the structure of In2O3 are probably modified in the PVK/ITO interface,because a large amount C-O bonds are found in the interface,which cannot be explained by air contamination;Some of the In2O3 molecules at the interface are partially decomposed,and the resulting O atoms substitute the H atoms of PVK subgroups and form the C-O bonds,and the In atoms diffuse into the PVK bulk.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

彭应全 郑代顺 张旭.聚乙烯咔唑/铟锡氧化物的界面分析[J].光电子激光,2003,(7):767~771

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