TN304.6 O431.2
在半导体InGaAs激光激发Yb:YAG晶体的荧光中,有一组位于460~494nm的可见荧光。分析了这些可见荧光产生的原因,指出它不同于红外荧光的发光机理,是一种离子对的合作吸收和发射。两个离子耦合成的离子对产生的可见荧光,其强度随激发功率的平方变化。提高晶体中离子对的密度,可见荧光可以得到增强。
史全林 杜荣建 田乃良. Yb:YAG晶体的可见荧光及其机理研究[J].光电子激光,2003,(8):889~892