中频溅射技术沉积镱铒共掺Al2O3薄膜光致发光
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TN304 O484

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国家自然科学基金资助项目(69889701);辽宁省科技厅资助项目(20022110);辽宁省教育厅资助项目(202123198)


Photoluminescence of Yb3 /Er3 Co-doped Al2O3 Film Fabricated by Medium Frequency Sputter
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    用中频孪生靶溅射法在硅片上制备了镱铒共掺氧化铝薄膜(2 cm×2 cm),在室温下检测到薄膜的位于1 535 nm的很强的光致发光光谱(PL),讨论了泵浦功率、镱铒共掺比例、退火温度对光致发光光谱强度的影响.扫描电镜(SEM)观察分析表明,中频孪生靶溅射法沉积的薄膜致密、均匀、光学缺陷少.实验结果表明镱铒共掺薄膜的荧光强度不随泵浦功率的增加而饱和,最佳的镱铒共掺杂比例9∶1,最佳退火温度850 ℃,对各种实验结果给出了理论的解释.

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引用本文

高景生 宋昌烈 李成仁 李淑凤 宋琦 黄开玉 李国卿.中频溅射技术沉积镱铒共掺Al2O3薄膜光致发光[J].光电子激光,2004,(10):1162~11,651,180

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