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10%占空比大功率半导体激光器线阵列
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[cstr]
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TN248.4 TN912

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河北省自然科学基金资助项目(603080)


10% Duty Cycle High Power Semiconductor Laser Linear Array
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    利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光(LD)线阵列的峰值波长为939．5nm．光谱的半高全宽(FWHM)为2．3nm．在400μs、250Hz的输入电流下，输出峰值功率达到65W(75A)．斜率效率高达1W／A．阈值电流密度为185A／cm^2，最高转换效率可达42%。

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引用本文

康志龙 辛国锋 陈国鹰 花吉珍 安振峰 郭艳菊 高丽艳.10%占空比大功率半导体激光器线阵列[J].光电子激光,2004,(10):1178~1180

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