模拟和分析了作为电流模式多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)有源矩阵有机发光二极管(AM-LOED)像素单元的poly-Si TFT／OLED耦合对的J-V特性和poly-Si TFT电流镜的I-V特性。使用Mathcad数学计算软件和AIM-SPICE电路模拟工具，分别对OLED和TFT耦合对和TFT电流镜进行了模拟计算。理论上，采用电流模式的poly-Si TFT AM-OLED可以解决器件间的不一致性问题。无论迁移率的不一致还是阈值电压Vth的差异都可以被补偿，从而使灰度的一致性得以改善。因为采用了倒置的OLED结构，可以用N型poly-Si TFT作为电流阱来驱动OLED，所以像素的性能进一步优化。结果表明，poly -Si TFT／OLED耦合对的驱动电压低，在200A／m^2下不超过8V；而TFT电流镜的跟随能力很好，在0．0～2．5μA时饱和电压只有1．5～2．5V。