用电子束蒸发方法在ITO基片上生长Y2O3：Eu荧光薄膜．并在不同条件下退火处理。分别用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(KPS)、扫描电于显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱表征Y2O3：Eu荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能。实验表明：随着温度升高，薄膜的结晶程度提高，弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷，提高了薄膜的发光性能：600 O退火处理的光致发光中，617nm和596nm的谱线最强。