LiF层对ITD/Alq3/LiF:Al器件性能的影响
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TN383

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Effects of the LiF Layer on the Performance of ITO/Alq3/LiF:Al Device
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    分别制备了4种有机电致发光器件(OLEDs):ITO A1q^3/Al;ITO/A1q^3/LiF(1.0nm):A1;ITO/A1q^3/LiF(1.5nm):A1;ITO/A1q^3/LiF;(2.0nm)A1。研究了LiF的引入对金属电极与发光层界面的影响以及各种不同的界面态对器件发光性能的影响。研究结果表明:适当的LiF厚度的引入不仅可以改善器件的界面特性,而且可以提高器件的发光亮度及发光效率。

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引用本文

许雪梅 彭景翠 李宏建 瞿述 赵楚军. LiF层对ITD/Alq3/LiF:Al器件性能的影响[J].光电子激光,2004,(5):572~574

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