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940 nm 20%占空比InGaAs/AlGaAs大功率LD线阵
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[cstr]
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TN248.4

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940 nm High Power InGaAs/AlGaAs LD Arrays with Putycycle of 20%
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    采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术,制作了AlGaAs/InGaAs/GaAs大功率20%占空比半导体激光器.采用良好的封装方式,激光器直接封装在高效导热载体上,对载体水冷散热,在脉冲频率500 Hz,脉冲宽度400 μs下,驱动电流105 A时输出功率高达90.6 W,最高电-光转换效率42.3%,斜率效率0.94 W/A.器件中心激射波长941.8 nm,光谱半高全宽3.3 nm.

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引用本文

赵卫青 安振峰 陈国鹰 辛国锋 牛健 沈牧.940 nm 20%占空比InGaAs/AlGaAs大功率LD线阵[J].光电子激光,2004,(8):914~916

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  • 最后修改日期:2003-10-13
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