采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术，制作了AlGaAs/InGaAs/GaAs大功率20％占空比半导体激光器。采用良好的封装方式，激光器直接封装在高效导热载体上，对载体水冷散热，在脉冲频率500Hz，脉冲宽度400μs下，驱动电流105A时输出功率高达90.6W，最高电一光转换效率42.3％，斜率效率0.94W/A。器件中心激射波长941.8nm，光谱半高全宽3.3nm。