在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径。首次采用含CH3CSNH2的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行了湿法阳极氧化，大大改善了多孔硅的发光强度，并研究了氧化电流密度、氧化温度、氧化时间等一系列因素对氧化多孔硅光致发光强度的影响。实验发现，在电流密度1mA/cm^2，氧化液温度60℃，氧化时间为10min的条件下，可以获得最强光致发光；在此最优条件下得到的氧化样品较初始样品发光增强了18倍。