采用不同氧化电流密度制备多孔硅，利用超声波粉碎多孔硅层得到硅纳米颗粒，研究了多孔硅和硅纳米颗粒的荧光光谱性质。结果表明，随着氧化电流密度的增加．多孔硅的发光峰值波长向短波方向“蓝移”。硅纳米颗粒相对多孔硅发光强度提高，峰值波长也发生“蓝移”，观察到硅纳米颗粒极强的蓝紫光发射(≈400nm)现象。表明量子限制效应和表面态对多孔硅和硅纳米颗粒的PL性质有重要作用，并用量子限制效应发光中心模型对实验现象进行了解释。