短波长谐振腔发光二极管外延及性能研究
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TN312.8

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Epitaxy and Characterization of Short Wavelength Resonant Cavity LEDs
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    摘要:

    利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长650 nm谐振腔半导体发光二极管(RCLED),利用光致发光(PL)谱和电致发光(EL)谱研究了其发光特性.由于上、下布拉格反射镜的影响,导致其PL强度只有普通LED的1/20;EL谱纯度有了很大提高,半峰宽(FWHM)由普通LED的20 nm降到4 nm以下.最好的器件测试结果表明,可以在60 mA、2.71 V下,实现1.45 mW以上发射功率,最窄FWHM在3 nm.

    Abstract:

    Resonant oavity light emitting diodes(RCLED) of 650 nm wavelength was epitaxied by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD),the emission property of photoluminescence(PL) and electro-luminesence(EL) was characterized.The PL intensity of RCLED is about 1/20 of common LED;the EL spectral purity is enhanced,EL spectral full width of half maximum(FWHM) is decreased from common LED's 20 nm to RCLED's 3-4 nm.The device characterization show that we can obtain above 1.45 mW EL emission power at 69 mA,2.71 V.

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引用本文

尉吉勇 黄柏标 秦晓燕 张晓阳 张琦 姚书山 朱宝富 李宪林.短波长谐振腔发光二极管外延及性能研究[J].光电子激光,2005,(11):1304~13,061,311

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  • 收稿日期:2005-06-15
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