用射频磁控溅射及后退火(800℃、1000℃和1200℃)方法，在Si(111)衬底上制备出了SiC纳米晶(nc-SiC)薄膜。傅立叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)形貌像等研究表明，制备出的nc-SiC薄膜具有立方结构；样品经800℃、1000℃退火后，表面的纳米晶粒分别为10nm和20nm左右；而1200℃退火后，样品晶化完全。光致发光(PL)研究表明，nc-SiC薄膜室温条件下发射蓝光，发光峰峰位随退火温度的降低发生蓝移且发光峰强度变大；1000℃退火后样品的发光峰在478nm，800℃退火后发光峰在477nm，800℃退火比1000℃退火的样品发光强度高4倍。