提出了一种激光诱导液相腐蚀的抗蚀膜掩蔽法。理论分析和实验结果表明，该方法可以有效地控制激光化学腐蚀的图像形状；因不需要对激光光束进行聚焦，光传播垂直于基片表面，制作出的腐蚀孔侧壁具有很高的垂直度；利用激光光束中心区域能量分布近似均匀的特点，使小面积腐蚀区域的腐蚀速率近似相等，腐蚀面内各点没有明显的高度差；避免了激光对腐蚀孔侧壁的直接照射，横向腐蚀由激光化学腐蚀变为轻微化学腐蚀，大大降低了横向腐蚀对腐蚀孔形状的影响。为说明抗蚀膜掩蔽法的横向腐蚀问题，专门对GaAs基片的轻微腐蚀性能进行了研究并报道了有价值的实验结果。