TN379
国家自然科学基金;天津市科技攻关项目
从硬件结构、曝光策略和模拟结果入手,在传统滚筒式曝光基础上,通过对用户设定区域像素饱和值的统计和曝光时间选择算法,提出了一种CMOS图像传感器大动态范围自适应曝光的设计。曝光时间可从1ps至65ms,探测光强范围达到10^1~10^6lux,设计将充分发挥现有像素性能,实现快速实时的自适应曝光需求。
陆尧,姚素英,徐江涛.基于自适应曝光的CMOS图像传感器的设计与实现[J].光电子激光,2006,(11):1321~1325