采用低温AIN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜
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TN304.055
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国家高技术研究和发展计划资助项目（2002AA305304）,CNRS/ASC 2005：N project 18152）;上海自然科学基金资助项目（05ZR14139）;国际合作基金资助项目（055207043）
Growing GaN Film by Hydride Vapor Phase Epitaxy with Low Temperature AIN Interlayer
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引用本文
.采用低温AIN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜[J].光电子激光,2006,(12):1453~1456
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- 收稿日期:2006-01-22
- 最后修改日期:2006-06-14
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