通过利用突变结PIN理想结构电场分布模型，分析了该结构发光二极管（LED）反向击穿电压与非故意掺杂有源区厚度的线性相关性。通过利用LP—MOCVD技术生长了不同厚度多量子阱（MOW）有源区A1GaInP LED，测量了器件的反向击穿特征，测试结果与理论分析非常吻合。同时获得了AlGaInP MOW结构的临界反向击穿电场强度数值。这些结果可以作为具有PIN结构的LED性能优化的重要参考。