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射频磁控溅射工艺参数对SiC薄膜发光性能的影响
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[cstr]
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O484.41

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天津市功能材料与器件物理重点实验室基金


The Effect of Technical Parameters of RF Magnetron Sputtering on Photoluminescene of SiC Films
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    采用射频磁控溅射和后退火的方法在单晶Si（111）衬底上制备了SiC薄膜。采用红外吸收谱仪（FTIR）和X射线光电子谱仪（XPS）分析了薄膜的结构。采用分光光度计测量了SiC薄膜的发光性能。发现衬底加负偏压、适当增大溅射功率、降低工作气压均可以抑制SiO2和无定形碳的出现，有利于β-SiC的形成，同时增加SiC薄膜光致发光（PL）强度。

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引用本文

刘技文,李娟,许京军.射频磁控溅射工艺参数对SiC薄膜发光性能的影响[J].光电子激光,2006,(5):558~563

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  • 收稿日期:2006-01-05
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