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Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片的Zn扩散研究
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[cstr]
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TN305

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Zinc Diffusion in 650 nm Laser Diode Epitaxy Wafer with Mg Doped AlInP Layer
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    利用石英闭管法,对Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片进行Zn扩散,分析了扩散温度和时间2个参数对Zn扩散的影响.采用光致发光(PL)谱和电化学蒸涂(ECV)方法研究了Zn扩散产生的影响.PL谱结果表明,Zn扩散引起了AlGaInP/GaInP多量子阱(MQW)有源层的组分无序,使PL谱的峰值蓝移,最大蓝移为54 nm,约175 meV.ECV测量结果显示,Zn已经扩散到MQW有源区,MQW区域的p型载流子浓度为4.4×1017 cm-3.

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引用本文

李树强,马德营,夏伟,陈秀芳,张新,任忠祥,徐现刚,蒋民华. Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片的Zn扩散研究[J].光电子激光,2006,(7):854~856

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  • 收稿日期:2005-11-19
  • 最后修改日期:2006-03-20
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