采用脉冲激光沉积（PKD）技术，在Si（100）衬底上制备出高度C轴取向的ZnO薄膜。通过测量X射线衍射（XRD）谱、扫描电镜（SEM）和光致发光（PL）谱，研究了衬底温度改变对薄膜结构和PL的影响。实验结果表明，当衬底温度从400℃升到700℃时，薄膜的（002）衍射峰半高宽（FWHM）变窄，紫外（UV）发光强度在衬底温度为500℃达到最强。这可能是当衬底温度为500℃时，ZnO薄膜的化学配比较好，说明化学配比对UV发光的影响要大于薄膜微结构的影响。改变衬底温度对薄膜的表面形貌也有较大的影响。